半导体学报
Chinese Journal of Semiconductors
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
001期
作者:刘宝宏
作者单位:Center for Microwave and RF Technologies Shanghai Jiao Tong University |
|
This paper presents the design of 0.5 V multi-gigahertz cascode CMOS LNA for low power wireless comm |
|
关 键 词：田七 工时 气冷 少井 蒸气 |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
001期
作者:郝志坤
作者单位:Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences |
|
This paper presents a detailed description of a high-performance direct digital frequency synthesize |
|
关 键 词：石门 |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
001期
作者:赵岩
作者单位:Institute |
|
We present an input/output block(IOB) array used in the radiation-hardened SRAM-based fieldprogramma |
|
关 键 词：围圈 圈图 |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
33卷
001期
作者:马俊彩
作者单位:Key |
|
|
|
关 键 词：HEMT器件 击穿电压 双异质结 氮化镓 高电子迁移率晶体管 AlGaN 特性 最大输出功率 AlGaN/GaN/A1GaN double heterojunctions breakdown voltage carrier confinement |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
001期
作者:丁磊
作者单位:chool of Electrical and Information Engineering Shaanxi University of Science & Technology |
|
We report AI/MoO_3 thin film used as a complex anode in high-performance OLEDs.The unique efficacy o |
|
关 键 词： |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
001期
作者:韦家驹
作者单位:Institute of RF- & OE-ICs Southeast University |
|
This paper compares model differences of transformers measured in 4-port and 2-port configurations. |
|
关 键 词：几丁 六气 |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
001期
作者:高卓
作者单位:Institute |
|
A novel broad area slotted Fabry-Perot diode laser is designed and fabricated.Using a new semianalyt |
|
关 键 词：入门 |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
33卷
001期
作者:Toufik Bentrcia
作者单位:Department of Physics |
|
|
|
关 键 词：MOSFET器件 热载流子退化 V模型 连续分析 GS 连续性方程 连续电流 信息需要 GS DG MOSFET hot-carriers degradation effects compact modeling piece-wise models |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
33 卷
001期
作者:Yu Jiale
作者单位:tate |
|
|
|
关 键 词： |
|
[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2012年
33卷
001期
作者:揭斌斌
作者单位:Department of Physics |
|
|
|
关 键 词：MOS电容 载流子俘获 电压特性 杂质 电荷态 金属氧化物半导体 n型掺杂 电子应用 multiple charge states trapping capacitance dopant impurity |