半导体学报
Chinese Journal of Semiconductors
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:王闯
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
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给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21~28GHZ的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82MA时,1DB压缩点输 |
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关 键 词：功率PHEMT MMIC功率放大器 全芯片级电磁场仿真 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:王慧
作者单位:北京工业大学电控学院 |
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对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10MIN,成功实现GAAS与GAN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体 |
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关 键 词：晶片直接键合 GAAS GAN 光电子集成 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:王烰
作者单位:武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 |
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用高温熔融-退火扩散法合成了富CO组成的方钴矿化合物CEYFEXCO4-XSB12(Y=0~0.42),并对化合物的结构和热电性能进行了研究.结果表明:化合物的晶格常数随CE填充量的增加而线性增加.霍 |
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关 键 词：P型方钴矿 合成 热电性能 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:任铮
作者单位:华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系 |
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针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用AGILENT I |
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关 键 词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管 参数提取 曲线拟合 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:龚春娟
作者单位:中国科学院半导体研究所 |
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采用平面波展开法和快速遗传算法优化设计具有大禁带的二维光子晶体.从随机产生的晶体结构开始,在遗传算法中引入占空比控制算符和傅里叶变换数据备份机制,快速搜索到了具有较大绝对禁带的正方晶格光子晶体,其最大 |
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关 键 词：二维光子晶体 光子带隙 遗传算法 平面波展开法 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:马德胜
作者单位:中国科学院半导体研究所 |
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提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μM SIGE BICMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8DB,增益平坦度小于1.4DB,噪声系数小于5DB,1 |
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关 键 词：BICMOS 宽带 噪声系数 线性度 低噪声放大器 SIGE |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:桑胜波
作者单位:中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 |
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针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余应力比氧化 |
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关 键 词：微加工工艺 残余应力 喇曼 在线测量 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:吴懿平
作者单位:华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室 |
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研究了无铅SN96AG3 SCUO S凸点与镀NI焊盘互连界面的电迁移现象.在180℃条件下,凸点及互连界面在电迁移过程中出现了金属间化合物沿电子流运动方向的迁移,其演化过程呈现出显著的极性效应:阴极 |
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关 键 词：电迁移 无铅焊料 凸点互连 金属间化合物 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:闫欣
作者单位:吉林大学电子科学与工程学院 |
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对1*N信道硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的传输特性进行了分析,给出了光学传递函数的公式.在中心波长1550.918NM、波长间隔1.6NM的情况下,对其振幅耦合比率、波谱响应、分光光谱、插入损耗、信 |
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关 键 词：波分复用器 传递函数 波谱响应 分光光谱 插入损耗 串扰 |
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[中文期刊]
刊名:《半导体学报》
ISTIC
CSCD
2006年
006期
作者:王德强
作者单位:中国科学院微电子研究所 |
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在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150NM的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150NM的阴图形微波带片 |
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关 键 词：电子束 X射线光刻 微波带片 菲涅耳波带片 |