期刊封面
月刊  1980
期刊信息
主管单位:中国科学院
主编:王守武
ISSN:1674-4926
CN:11-5781/TN
地址:北京912信箱
邮政编码:100083
电话:010-82304277
Email:jos@semi.ac.cn

半导体学报

分享到:
Chinese Journal of Semiconductors

本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

  •     目录   << 2010年 001 期 >>
1. OPTIMIZATION OF GRID DESIGN FOR SOLAR CELLS (被引次数:4) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:LIU WEN    作者单位:ENGINEERING
By theoretical simulation of two grid patterns that are often used in concentrator solar cells,we gi
关 键 词:
2. A KA-BAND LOW-NOISE AMPLIFIER WITH A COPLANAR... (被引次数:1) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:WU CHIA-SONG    作者单位:DEPARTMENT OF ELECTRONIC ENGINEERING
This investigation explores a low-noise amplifier(LNA) with a coplanar waveguide(CPW) structure,in w
关 键 词:
3. LARGE SIGNAL RF POWER TRANSMISSION CHARACTERI... (被引次数:1) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:ZHAO LIXIN    作者单位:INSTITUTE
The large signal RF power transmission characteristics of an advanced InGaP HBT in an RF power ampli
关 键 词:
4. FULL ON-CHIP AND AREA-EFFICIENT CMOS LDO WITH... (被引次数:9) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:MA HAIFENG    作者单位:TATE
A full on-chip and area-efficient low-dropout linear regulator(LDO) is presented.By using the propos
关 键 词:入门 口孔 油甘 试工 口甘
5. A 2.4 GHZ POWER AMPLIFIER IN 0.35 μM SIGE BICMOS (被引次数:5) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:HAO MINGLI    作者单位:INSTITUTE OF MICROELECTRONICS
This paper presents a 2.4 GHz power amplifier(PA) designed and implemented in 0.35μm SiGe BiCMOS tec
关 键 词:三气
6. A 4224 MHZ LOW JITTER PHASE-LOCKED LOOP IN 0.... (被引次数:5) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:CHEN HU    作者单位:TATE
A 4224 MHz phase-locked loop(PLL) is implemented in 0.13μm CMOS technology.A dynamic phase frequency
关 键 词:再建
7. ANALYSIS OF TRIGGER BEHAVIOR OF HIGH VOLTAGE ... (被引次数:3) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:ZHU JING    作者单位:NATIONAL
The physical mechanisms triggering electrostatic discharge(ESD) in high voltage LDMOS power transist
关 键 词:立心
8. ELECTRONIC STRUCTURES OF AN (8, 0) BORON NITR... (被引次数:4) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:LIU HONGXIA    作者单位:KEY LABORATORY OF MINISTRY OF EDUCATION FOR WIDE BAND-GAP SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES
The electronic structure of the heterojunction is the foundation of the study on its working mechani
关 键 词:
9. A HIGH EFFICIENCY CHARGE PUMP CIRCUIT FOR LOW... (被引次数:5) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:FENG PENG    作者单位:TATE
A high efficiency charge pump circuit is designed and realized.The charge transfer switch is biased
关 键 词:
10. AN X-BAND FOUR-WAY COMBINED GAN SOLID-STATE P... 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《半导体学报》   ISTIC  CSCD  2010年 001期    作者:CHEN CHI    作者单位:NATIONAL
An X-band four-way combined GaN solid-state power amplifier module is fabricated based on a selfdeve
关 键 词:王二 大气 晓川