T0.1标准下改善90nm 3.3V NMOS热载流子注入(HCI)效应
Improvement of Hot Carroer Injection for3.3V NMOS of90nm Technology with T0.1Standard
随着VLSI工艺的发展,半导体制造技术不断进步,在摩尔定律的推动下,每过三年,芯片上面的晶体管数目翻两番,芯片面积变大1.5倍,器件的关键尺寸缩小2/3.但是,为了电路集成的要求,相应的电源电压并不会按相应比例缩小,因为低的电源电压会使器件与其他电路的兼容性变差.这样一来,随沟道的缩短,可靠性的问题变得更加突出.电源电压不变的情况下,缩小了器件的关键尺寸,减薄了栅氧化层的厚度,使器件漏端的不管横向还是纵向的电场都不断增大,器件的热载流子退化效应成了器件可靠性的一个突出问题.通过不断的研究分析,人们发现浅结工艺可以有效的改善器件的热载流子注入效应.在没有新的器件结构的情况,优化浅结注入工艺来改善器件的热载流子注入效应是一个很有效的办法.一般来说,改变注入条件和退火效应可以改善器件浅结的结深以及几何结构,以此可以降低器件的漏端电场,从而改善器件的热载流子注入效应.本文以我们90nm工艺为基础,以满足行业T0.1可靠性标准为目标,以3.3V NMOS为例,从器件结构和生产工艺入手,分析我们90nm3.3V NMOS器件的热载流子注入效应的现状产生原因,并提出改善的方法,设计实验验证,得到了通过优化LDD注入和退火条件来改善器件的热载流子注入效应,使器件性能满足T0.1标准下的可靠性要求.
- 作者：
- 张斌
- 学位授予单位：
- 上海交通大学
- 专业名称：
- 集成电路工程
- 授予学位：
- 硕士
- 学位年度：
- 2013年
- 导师姓名：
- 程秀兰；张传宝
- 中图分类号：
- TN386
- 关键词：
- 热载流子注入效应；T0.1标准；漏端电场；浅结；LDD注入；LDD退火
- Hot Carrier Injection；T0.1Standard；Shallow Junction；Lightly Doped Dosage Implant；Annealing for Lightly Doped Dosage