单晶硅片与硬磁盘基片的研磨和化学机械抛光的若干问题的研究
本文基于PRESTON方程深入研究了单晶硅片与硬磁盘基片在研磨和化学机械抛光过程中材料去除机理和影响其过程的关键问题——工件表面速度和压力场的分布情况,找到速度与压力场的分布对材料去除率的影响.对几种典型结构的研磨抛光机—曲柄摇杆式抛光机、行星式研磨机和摆式研磨抛光机进行了动力学分析.利用弹性力学的接触理论对硬磁盘基片与单晶硅片的几种典型研磨抛光形式—无背垫抛光、有背垫抛光、无护环抛光、有护环抛光和双面研磨抛光,建立了物理力学模型.
- 作者：
- 冯连东
- 学位授予单位：
- 沈阳理工大学
- 专业名称：
- 机械制造与自动化
- 授予学位：
- 硕士
- 学位年度：
- 2005年
- 导师姓名：
- 吕玉山
- 中图分类号：
- TP333.35；TG580.68
- 关键词：
- 化学机械抛光；研磨；硬磁盘；单晶硅片；压力分布
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