EBIT电子束性能研究
中科院上海应用物理研究所和复旦大学合作研制的上海电子束离子阱(EBIT)装置在国内是开创性的.建造过程中需要对其电子轨迹和电子束性能进行模拟和研究.该文主要包括三方面的内容:1.电子在电磁场中的运动规律及电子枪的基本理论;2.电子枪结构的设计和EBIT电子束性能的研究;EBIT电子束性能的研究包括:电子轨迹的模拟和优化,磁屏蔽的确定,磁场和电场大小及分布的影响,加工公差、电源稳定度、材料磁导率等因素的影响3.电子枪阴极发射能力和陶瓷环耐压能力的实验.该文首先介绍了电子在电磁复合场中运动的理论基础,然后应用计算程序模拟出电子轨迹并对其进行优化,最后得出上海EBIT电子束的调试参数.
- 作者：
- 钱理强
- 学位授予单位：
- 中国科学院上海应用物理研究所
- 专业名称：
- 核技术及应用
- 授予学位：
- 硕士
- 学位年度：
- 2004年
- 导师姓名：
- 朱希恺
- 中图分类号：
- TL503.3
- 关键词：
- EBIT；电子枪；电子束；EGUN；POISSON/SUPERFISH
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