HWCVD低温制备器件质量的微晶硅薄膜
微晶硅(μc-Si:H)薄膜在薄膜太阳电池和薄膜晶体管等大面积电子学方面具有明确的应用前景.由于具有高速沉积、气相利用率高和易晶化等特点,采用HWCVD技术制备大面积、优质μc-Si:H是当今研究热点之一.而大面积均匀性、高速沉积与薄膜致密性的统一是μc-Si:H薄膜在实际应用中的关键问题.该论文采用HWCVD技术研究了器件质量μc-Si:H薄膜的低温制备,取得了一些有意义的成果.
- 作者:
- 汪六九
- 学位授予单位:
- 中国科学院研究生院半导体研究所
- 专业名称:
- 材料物理与化学
- 授予学位:
- 硕士
- 学位年度:
- 2003年
- 导师姓名:
- 朱美芳
- 中图分类号:
- TN304.055
- 关键词:
- 微晶硅薄膜;热丝化学气相沉积;氢稀释;光电特性
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