纯铝靶中分别添加FE、TI、TA对溅射薄膜电阻率和抗小丘生长性能的影响
随着薄膜晶体管型液晶显示器(TFT-LCD)向大型化、高清晰化发民,对铝合金电极布线膜的主要性能要求是低电阻率和良好的抗小丘生长性能.如何降低高纯铝合金薄膜的电阻率并控制加热时的小丘生长是工业应用薄膜沉积的重要课题.为揭示在铝靶中添加不同合金元素对溅射薄膜性能的影响.该文选取了三种具有一定代表性的铝合金(Al-Fe、Al-Ti和Al-Ta)薄膜作为研究对象,对比研究了三种合金薄膜的电阻率及其肥退火工艺的影响,同时研究了退火态Al-Fe、Al-Ti和Al-Ta合金薄膜的抗小丘生长性能和表面形貌特征,以及小丘的尺寸范围、形貌和生物特征.此外,根据根据小丘的生长特征和薄膜的显微结构特点,并结合对薄膜应力-温度曲线的理论分析和讨论,探讨了合金元素抑制小丘生长的机理.论文最后探讨了添加合金元素抑制小丘生长的要同盟,提出了新观点:在铝靶中添加Fe等合金元素使薄膜抗小丘生长性能提高的原因是小丘形成温度的升高;在再结晶温度以上,第二相阻碍铝原子沿晶界迁移是抑制小丘生和的原因.
- 作者：
- 吴丽君
- 学位授予单位：
- 北京有色金属研究总院
- 专业名称：
- 材料学
- 授予学位：
- 博士
- 学位年度：
- 2001年
- 导师姓名：
- 袁冠森；夏慧
- 中图分类号：
- TG132.2；TM241.1
- 关键词：
- TFT-LCD；AL-FE合金薄膜；AL-TA合金薄膜；电阻率；小丘生长
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