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立方氮化镓MOCVD外延生长研究

为进一步提高立方GaN材料质量以改善器件性能,该文研究了两步生长法生长立方GaN的反应机理并尝试优化了生长条件.该文还对利用侧向外延技术提高立方GaN质量的生长工艺作了初步探索.

作者：
付羿
学位授予单位：
中国科学院半导体研究所
专业名称：
微电子学和固体电子学
授予学位：
硕士
学位年度：
2001年
导师姓名：
杨辉
中图分类号：
TN304
关键词：
氮化镓；外延生长
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