热丝法淀积硅薄膜的研究
非晶硅太阳电池普遍采用PECVD(等离子体增强CVD)法制备各层非晶硅薄膜,由于PECVD法制备出的非晶硅薄膜存在较严重的光致衰退性,严重地制约了它的推广应用.为解决非晶硅薄膜的光致衰退性,作者进行了用一种新的薄膜制备方法-热丝法化学相沉积法制备硅薄膜的研究.在该论文中,系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、热丝温度、衬底温度、掺氢比例对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响.通过优化各工艺参数,成功制备出光暗电导比达10<''4>的非晶硅薄膜.在该论文中,还对热丝化学气相沉积制备多晶膜薄膜进行了研究,研究发现,沉积气压、衬底温度、掺氢比例为控制薄膜结构、光电性能的关键参数.通过优化工艺参数,制备出了晶粒尺寸达微米量级的晶相良好的多晶硅薄膜,成功地实现了多晶硅薄膜的掺杂.该论文还对进一步改进热丝法提出了建议,对热丝法制备非晶硅太阳电池和多晶硅薄膜太阳电池的可行性进行了探讨.
- 作者:
- 罗志强
- 学位授予单位:
- 北京有色金属研究总院
- 专业名称:
- 半导体材料
- 授予学位:
- 硕士
- 学位年度:
- 1998年
- 导师姓名:
- 吴瑞华
- 中图分类号:
- TM914.4
- 关键词:
- 热丝法;非晶硅薄膜;多晶硅薄膜;太阳电池
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