高级检索
全部 主题 学科 机构 人物 基金
词表扩展: 自动翻译: 模糊检索:检索设置
共找到 1086337 篇符合条件的学位，用时0.361秒 当前为第7页 共54317页
已选条件：
按排序
  全选范围:
121. 掺铒硅基发光研究 原文获取 
[学位论文]   作者:雷红兵   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
铒离子发光波长为1.54μm恰好为光纤通信标准波长,掺铒硅则把铒离子的这种优良光学性能和成熟的硅工艺结合起来.该文从实验和理论上详细研究了掺铒硅基材料发光特性,得到如下研究成果:1.采用光加热快速热退
关键词：掺铒硅基材料 发光特性 高分辨光致发光谱 二氧化硅玻璃
122. 硅基SOI光波导耦合器与光开关的研究 （被引次数：4） 原文获取 
[学位论文]   作者:魏红振   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
该文介绍了矩形多模干涉耦合器的基本原理,分析了多模波导中的映像的重叠以及多模干涉耦合器中的配对干涉和对称干涉,采用有效折射率方法和导模传输分析方法模拟了多模波导中的光场分布,分析了多模干涉耦合器的带宽
关键词：多模干涉耦合器 带宽特性 制作容差性 多模波导
123. MBE生长GaAs的光荧光及高掺杂引起的带隙收缩 原文获取 
[学位论文]   作者:胡天计   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
由于分子束外延(MBE)可以生长高质量的超薄层,故近年来得到很大发展,成了半导体表面界面,量子阱和超晶格结构研究的一种基本技术,并被广泛地应用于研制传统和新颖的微波和光学器件.目前,MBE最常制备的材
124. INAS/GAAS自组织量子点表面形貌可控性分子束外延的生长研究 原文获取 
[学位论文]   作者:周大勇   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
该文主要用分子束外延(MBE)生长方法,研究了原子氢辅助以及生长停顿对量子点形貌特征、位置可控性和发光特性的影响.论文具体内容包括:1)研究了在MBE中引入原子氢,对衬底脱氧温度以及外延生长的影响.2
关键词：量子点材料 发光峰位 分子束外延 原子氢 INGAAS量子线 生长停顿
125. 闪烁存储器存储单元及其特性的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:王延峰   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:微电子学与因体电子学   授予学位:硕士
在该论文中,分类讨论了闪烁存储单元的操作机理、器件结构及阵列结构,并且对闪烁存储器发展中的闪烁存储单元的尺寸缩小、低电压操作、多位存储、操作干扰、抗辐射等问题进行了阐述,还对存储单元的疲劳机制、数据保
关键词：闪烁存储单元 操作机理 器件结构 陈列结构 疲劳机制 数据保持失效机制 辐射加速失效机理
126. Ⅲ族氮化物材料及GAAS基太阳能电池研究 原文获取 
[学位论文]   作者:袁海荣   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:材料物理与化学   授予学位:博士
该文围绕GaN基材料和发光二级管(LED)以及GaAs太联能电池展开了研究,取得如下结果:1、观察了GaN在生长初期形貌的发展;用统计的方法研究了形貌发展,首次在形貌特征与高度分布间建立了联系;首次建
关键词：GAN基材料 发光二极管 太阳能
127. 数模IC测试系统的工程化设计 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:蒋伟斌   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:电路与系统   授予学位:硕士
集成电路的发展迅速,密度、速度和功能不断提高,使得IC测试系统的规模和复杂程度不断增加.加之系统成本的急剧增长,极大地阻碍了将测试系统推向市场的步伐.因此如何尽快地将测试系统工程化,向生产部门转移,成
关键词：IC测试系统 时钟发生器 工程化 直流参数测试单元 集成电路 比较器
128. 超大规模集成电路参数提取算法及应用工具的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:赵勃   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1997   专业名称:半导体器件与微电子学   授予学位:硕士
准确的模型参数是在理论分析、模拟仿真和实际生产中所必须的,特别是在目前正向亚微米甚至深亚微米时代转换的时刻,一个高效、准确的参数提取工具更是模型发展、模拟仿真与工艺生产等各个方面所急需的利器.该文所要
关键词：参数提取算法 提取算法 随机尝试法求解初值 越大规模集成电路 工具实现
129. InGaAsP/InP半导体光波导开关 原文获取 
[学位论文]   作者:段继宁   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1994   授予学位:硕士
本文内容:1)采用国际上最新出现的简明有限差分束传播法结合有效折射率近似对基于X型波导的全内反射型光开关的传输特性进行了理论分析和数值计算,个出了器件在开、关两种状态下的串话曲线;2)探讨了载流子注入
关键词：半导体光学器件 半导体光波导开关
130. 多层无网格区域布线算法研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:卢(王景)   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
该文提出了一个基于用角钩链数据结构来管理布线资源,以可行区域扩展来实现多层无网络区域布线的算法.布线层采用水平和垂直交替的模型,布线层数、引线端位置、线间距、线宽均不做限制.多层无网格区域布线算法在运
关键词：角钩链数据结构 无网格布线 多层无网格区域布线算法
131. 双区段可调谐DFB半导体激光器研究 原文获取 
[学位论文]   作者:赵艳蕊   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:硕士
可调谐半导体激光器可以用作WDM通信系统的光源、相干光通信系统的本地振荡器,也可用于相干光测量.DFB可调谐激光器虽然波长调谐范围较小,但却具有制作简单、输出功率大、调谐容易、成本低等优点,所以扩展其
关键词：半导体激光器 双区段可调谐 啁啾光栅 DFB激光器
132. 高速电吸收调制DFB激光器的研制 （被引次数：5） 原文获取 
[学位论文]   作者:刘国利   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
高速电吸收调制DFB激光器(EML)由于啁啾低、功耗低、稳定性高、结构紧凑、体积小等特点,成为高速长途干线光通信网的主要光源,是发达国家研究机构的研发热点.该论文立足于国内工艺条件,围绕高速电吸收调制
关键词：电吸收调制DFB激光器 工艺条件 多量子阱材料
133. 人工神经网络在掩膜ROM智能测试方面的应用 原文获取 
[学位论文]   作者:陈向东   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1997   专业名称:电路与系统   授予学位:硕士
该文为所在科研小组承担珠八六三计划项目--"基于可编程器件VLSI化的智能测试用人工神经网络硬件"中的一部分工作.该论文分析了现有掩膜ROM的测试方法及存在的问题,研究了神经网络用于掩膜ROM智能测试
关键词：人工神经网络 掩膜ROM智能测试 前向三层多值神经元网络模型 网络权值
134. GAN基材料的生长、结构性能及光电性质研究 原文获取 
[学位论文]   作者:孙小玲   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:材料物理化学   授予学位:博士
该文对近年来发展起来的具有重要应用前景的短波长GaN基材料的生长、结构性能及光电性质等进行了系统、深入的研究.主要包括以下内容:1、研究了立方GaN的MBE、MOCVD生长机理,探讨了MBE生长中衬底
关键词：短波长GAN基材料 材料生长 光电性质 立方GAN 结构性能
135. 类金刚石系列薄膜的离子束生长、微观结构与性能 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:廖梅勇   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:材料物理与化学   授予学位:博士
碳材料是当今材料科学最为活跃的前沿领域之一.碳原子变化的多样性使碳基薄膜材料有不同的结构,研究这样的一种材料不仅具有技术上的重要性,还具有物理上的意义.质量分离的低能离子束技术由于其优越的参数控制性可
关键词：碳薄膜 微观结构 类金刚石薄膜 电子发射 光致发光性能
136. AlN晶体的离子注入掺杂及缺陷研究 原文获取 
[学位论文]   作者:李巍巍   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2009   专业名称:材料物理与化学   授予学位:硕士
本文研究了AlN晶体的离子注入掺杂和晶体的光学、电学性质，分析了晶体缺陷和结晶质量，讨论了获得低阻AlN单晶的掺杂方法和途径。主要内容包括以下几个方面：
　　 1.AlN晶体的杂质和缺陷。分别
关键词：氮化铝晶
137. SI-C系材料的生长及其性能研究 原文获取 
[学位论文]   作者:王引书   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
该论文研究了Si-C系材料:SiC、Si<,1-x>C<,x>合金及富C的Si<,n>C材料的生长、外延层的性能及外延生长过程中相尖缺陷的形成机理.在国内用GS-MBE首次在Si衬底上外延生长了质量比
关键词：SIC系材料 SIC外延 RHEED
138. GaAs/GaAlAs异质结光电晶体管的理论和实验 原文获取 
[学位论文]   作者:吴錡   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1986   授予学位:硕士
本文研究了GaAlAs/GaAs HPT的制造工艺和理论分析,提出的器件设计指标为G > 500, t_r~ns量级,我们采用薄基区来获得高的光增益,同时为了减小结电容,改善响应时间和使光有源面积增大
139. 嵌入式数控DC-DC转换器新结构研究 原文获取 
[学位论文]   作者:原钢   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
该论文基于嵌入式数控DC-DC转换器的设计问题,重点研究在PWM模式下工作的DC-DC转换器简化数字控制算法及其实际应用.论文工作的创新点和研究成果如下:1.在详细考察了DC-DC转换器在PWM模式下
关键词：DC-DC转换器 数字控制器 变步长反馈 PWM模式
140. 提高电子设计自动化程度的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:吴高巍   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:电路与系统   授予学位:硕士
该论文主要讨论了电子系统设计开发周期的一般过程,以及采用EDA方法的设计流程,着重分析了其中的一个瓶颈问题. 在此基础上,对瓶颈的问题提出了一个解决方案,并在实践中加以检验.该论文设计了一个接口软件P
关键词：接口软件PORT 电子系统设计 开发周期 设计软件
文献类型展开
时间展开
语种展开
来源展开
学位级别展开
核心期刊展开
作者展开
机构展开
基金展开
刊名展开
效力级别展开
学科展开
中图分类展开
出版时间展开
出版社展开
国家标准分类展开
国际标准分类展开
IPC展开
专利类型展开
颁布时间展开
实施时间展开
省份展开
行业展开
成果类别展开
成果水平展开
栏目展开
来源展开
资讯语种展开
资讯分类展开
地区展开
职称展开
专业领域展开
荣誉展开
地区分类展开
机构类别展开

关于我们 | 用户反馈 | 用户帮助| 辽ICP备05015110号-2

检索设置

请先确认您的浏览器启用了 cookie，否则无法使用检索设置！  如何启用cookie?

  1. 检索范围

    所有语言  中文  外文

  2. 检索结果每页记录数

    10条  20条  30条

  3. 检索结果排序

    按时间  按相关度  按题名

  4. 结果显示模板

    列表  表格

  5. 检索结果中检索词高亮

    是  否

  6. 是否开启检索提示

    是  否

  7. 是否开启划词助手

    是  否

  8. 是否开启扩展检索

    是  否

  9. 是否自动翻译

    是  否