高级检索
全部 主题 学科 机构 人物 基金
词表扩展: 自动翻译: 模糊检索:检索设置
共找到 1086337 篇符合条件的学位，用时0.673秒 当前为第6页 共54317页
已选条件：
按排序
  全选范围:
101. 应变异质结构(IN(GA)AS/INALAS/INP)材料的分子束外延生长、性质及其相关器件 的研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:李含轩   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
应变异质结构In(Ga)As/InALAs/InP材料体系不但对基础研究具有重要的学术意义, 而且还广泛地应用于制造新型半导体器件,因而得到了国内外材料科学工作者的广泛重视,是目前国际上最前沿的研究课
关键词：应变异质结构 晶体管材料 INAS/INALAS/INP
102. 数模IC测试系统关键部件的研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:李刚   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:电路与系统   授予学位:硕士
该文从提高性价比和系统工程化的目的出发,在"八五"攻关大型测试系统的基础上对模拟量程控发生器进行了改进设计和实现.讨论了新型模拟量程控发生器的原理,以及独特的分级分布式流水线结构.详细介绍了它的程控交
关键词：集成电路测试系统 模拟量程控发生器 转换精度 可测性设计
103. 电场作用下GAAS/ALGAAS复杂量子阱的光学性质研究 原文获取 
[学位论文]   作者:罗克俭   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1997   专业名称:凝聚态物理   授予学位:博士
电场作用下半导体超晶格和量子阱的光学性质是量子阱光电器件应用的基础.该文对其中的一些问题进行了探讨和研究,并用能带剪裁方法设计了一些较为复杂和独特的GaAs/AlGaAs量子阱结构,取得了一些有意义的
关键词：电场 半导体超晶格 量子阱 光学性质 能带剪裁方法 GAAS/ALGAAS 量子阱结构
104. GAAS/ALAS掺杂弱耦合超晶格中与电场畴有关的纵向电输运 原文获取 
[学位论文]   作者:李昌义   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
该论文首先回顾了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中与均畴形成有关的纵向电输运问题的研究背景和研究现状.接着在第一章较为详细的介绍了该论文所做工作中涉及到的物理模型和研究基础:电场下的超晶格、磁场下的
关键词：GAAS/ALAS 掺杂 超晶格 电场畴 纵向电输运
105. 分子束外延材料的初步研究和多量子激光器研制 原文获取 
[学位论文]   作者:张永航   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
本工作利用光荧光等分析手段,分析了分子束外延的GaAs,GaAlAs,超晶格和量子阱材料的光学性质,将有关测量结果与用有限深势阱模型和Kronig-Penny模型算得的结果进行比较,二者吻合较好.同时
106. 1.55#mu#m掩埋异质结DFB激光器的研制 原文获取 
[学位论文]   作者:何振华   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1992   授予学位:硕士
在发展极其迅速的光纤通信领域中,动态单纵模的半导体激光器可以大大提高单模光纤的传输距离带宽积,但器件的条形工艺仍处在发展完善阶段.为了寻找稳定的条形工艺,选用了掩埋异质结构,并得到了具有良好特性的DF
关键词：FBH结构 DFB激光器 液相外延系统
107. Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:张旺   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
该文利用喇曼散射的实验方法,并结合一定的理论计算对一些Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶超晶格材料和一些高指数(n11)面上生长的闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的晶格振动进行了较为全面的研究,另外还研究了六角GaN的
关键词：喇曼散射 Ⅲ-Ⅴ族半导体 混晶超晶格 光学声子模 光致发光
108. 半导体激光器芯片的测试 原文获取 
[学位论文]   作者:徐遥   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
该论文的工作围绕半导体激光器芯片的基本参数测试和频率响应特性测试展开,从我们现有条件出发,做了以下的工作:1、设计并制作测试夹具,使其可以利用网络分析仪的同轴电缆施加高频测试信号,并且可以方便的加装被
关键词：半导体激光器 参数测试 频率响应特性
109. 自镶嵌硅/氧化硅纳米微结构及光学特性的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:马智训   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
研究人员采用PECVD技术制备了一系列a-SiO<,x>:H薄膜,利用红外吸收谱、微区Raman谱研究了薄膜的微观结构.在薄膜结构研究的基础上,该文主要研究了a-SiO<,x>:H的光学性质.研究人员
关键词：A-SIO<,X>:H薄膜 微观结构 光学性质 纳米硅 输运特性
110. SOS器件及其材料改性的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:聂纪平   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
SOS(蓝宝石上外延硅)是一种优良的辐射加固半导体材料,在航天及国防领域得到了广泛的应用,但是由于SOS材料本身的特点,使它的应用受到一些限制.该工作主要针对SOS材料的一些不足,进行了JFET/SO
关键词：SOS材料 半导体器件 SOS器件 材料改性
111. SIGMA-DELTASA模数转换器的设计研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:毕卓   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
Sigma-Delta转换器是高精度系统集成芯片中的关键部件. 该论文在阅读了大量参考文献的基础上,对难度较大Sigma-Delta模数转换器的设计工作进行了系统的研究. 论文工作包括三大块:1.在S
关键词：SIGMA-DELTA模数转换器 双采样方法 系统信噪比 仿真 测试 数据处理
112. 半导体光学放大器的研制和窄条宽选区-MOVPE技术的开发 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:张瑞英   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
半导体光学放大器是下一代全光网中的核心多功能信号处理部件.因此,以减小偏振相关损耗,降低操作电流、提高饱和输出功率、扩大带宽、降低噪声指数和提高效率等性能改善为目标的半导体光学放大器的研制成为光电子器
关键词：半导体光学放大器 光电子器件 窄条宽选区-MOVPE技术 功能集成薄膜材料
113. 光纤传感系统高精度解调技术研究 原文获取 
[学位论文]   作者:张松伟   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2005   专业名称:光学   授予学位:博士
光纤光栅传感和干涉型光纤传感是目前光纤传感领域中研究比较深入、应用较为广泛的两个重要分支,但光纤光栅传感器波长解调系统目前多采用可调谐光纤F-P 滤波器方案,由于存在可动部件,长期可靠性较差,并且波长
关键词：光纤光栅传感器 波长解调 干涉型光纤传感器 PGC解调 地面震动传感
114. 重掺硅中氧含量的测定 原文获取 
[学位论文]   作者:马震宇   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1993   授予学位:硕士
本文用两种方法对重掺单晶硅中氧含量的测定进行了研究,中子辐照与付利叶红外光谱结合法及二次离子质谱分析法.经中子辐照重掺单晶硅,将其由低阻转变为高阻,消除自由载流子吸收的影响,再采用红外光谱测量法测定重
关键词：半导体材料 半导体物理 单晶硅 测定
115. 立方相GAN的晶片键合技术以及金属接触性质的研究 （被引次数：3） 原文获取 
[学位论文]   作者:孙元平   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
GaN以及GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物因其特有的宽带隙而具有的优良的电学、光学性质和优异的材料机械性,使其在光学器件、电子器件以及特殊条件下的半导体器件领域（如图形和图像的全色显示、高密度信息存储和短波辐射
关键词：GAN 半导体器件 GAAS衬底 晶片键合 金属接触
116. GAINNAS/GAAS等窄带隙量子阱结构光学性质的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:梁晓甘   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
该论文中,我们利用光致发光谱（Photoluminescence）光调制反射谱（Photorflectance）和光生伏特谱（Photovoltage）等测量手段对GaInNAs/GaAs和GaAsS
关键词：耦合双量子阱 光致发光谱 光生伏特谱 光跃迁结构 能态波函数
117. INAS/GAAS长波长材料分子束外延生长 原文获取 
[学位论文]   作者:澜清   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
长波长（1.3～1.55μm）量子点结构由于其潜在器件应用前景而广泛受到重视.在我们已有的实验中发现长波发光的InAs /GaAs自组织InAs岛尺寸较大,生长中需要增加In原子在GaAs表面迁移长度
关键词：INAS层 长波长发光峰 INAS量子点 H-MBE技术
118. 同轴封装半导体激光器耦合件的研制 原文获取 
[学位论文]   作者:伍立京   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体器件与微电子学   授予学位:硕士
同轴封装半导体激光器耦合件是一种新型半导体激光器耦合器件,与传统的双列直插型器件相比,这种结构的耦合件封装工艺简化,使用设备相对简单,易于进行批量化的生产.该论文对这种器件的性能进行了研究分析.原理部
关键词：同轴封装半导体激光器耦合件 封装结构 耦合调整合
119. 六角Ⅲ-Ⅴ氮化物量子阱的电子结构和光学性质 原文获取 
[学位论文]   作者:万寿普   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
六角结构Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,很有希望在蓝绿光发光二极管和激光二极管、高速高频光纤通信转换器、高功率HBT等器件制造方面得到广泛应用.近来,大量的实验报道了六角结构
关键词：Ⅲ-Ⅴ氮化物 量子阱 电子结构 光学性质
120. SOS氮化硅栅ISFET特性研究 原文获取 
[学位论文]   作者:张永志   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
本文通过SOS氮化硅栅ISFET的设计、制作和测量,主要研究了以下两方面的问题.第一,研究了ISFET和MNOSFET的设计、工艺和特性的区别和联系.通过输出特性和转移特性的测量发现:(1)由于源漏极
文献类型展开
时间展开
语种展开
来源展开
学位级别展开
核心期刊展开
作者展开
机构展开
基金展开
刊名展开
效力级别展开
学科展开
中图分类展开
出版时间展开
出版社展开
国家标准分类展开
国际标准分类展开
IPC展开
专利类型展开
颁布时间展开
实施时间展开
省份展开
行业展开
成果类别展开
成果水平展开
栏目展开
来源展开
资讯语种展开
资讯分类展开
地区展开
职称展开
专业领域展开
荣誉展开
地区分类展开
机构类别展开

关于我们 | 用户反馈 | 用户帮助| 辽ICP备05015110号-2

检索设置

请先确认您的浏览器启用了 cookie，否则无法使用检索设置！  如何启用cookie?

  1. 检索范围

    所有语言  中文  外文

  2. 检索结果每页记录数

    10条  20条  30条

  3. 检索结果排序

    按时间  按相关度  按题名

  4. 结果显示模板

    列表  表格

  5. 检索结果中检索词高亮

    是  否

  6. 是否开启检索提示

    是  否

  7. 是否开启划词助手

    是  否

  8. 是否开启扩展检索

    是  否

  9. 是否自动翻译

    是  否