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61. 多值数模IC测试系统的研制与开发 原文获取 
[学位论文]   作者:王久江   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1994   授予学位:硕士
本文介绍了利用功能模拟比较法设计的一种新型测试系统-SIMI1000多值数模混合IC测试系统.它将多值概念引入测试系统,从多值角度出发提高了数字电路测试的精度和模拟电路测试的速度.本文围绕模块化对系统
关键词：微电子学 集成电路 IC测试系统
62. 垂直腔面发射激光器与MISS光电开关集成 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:康学军   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1997   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)与传统的边发射半导体激光器相比,它具有发射角小、单纵模工作、非常低的阈值等优点,尤其它适于二维面阵集成和与其它光电子器件集成.在光信息处理、光互连、光计算等方面都
关键词：垂直腔面发射 半导体激光器 集成器 光电开关
63. 关于硅中激光辐照的点缺陷问题 原文获取 
[学位论文]   作者:卢励吾   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1983   授予学位:硕士
利用DLTS证实:经染料脉冲激光辐照,调Q红宝石脉冲激光辐照,连续Nd:YAG激光辐照的P型硅样品,存在深中心缺陷能级,主要是:(Ev+0.14ev)、(Ev+0.19eV)和(Ev+0.24eV).
64. 硅中与钯相关的E_(TA)、E_(TB)能级的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:傅建明   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
本文用多种硅单晶进行钯扩散,淬火试验,发现在含硼较多的cz单晶制作的样品中E_(TA)、E_(TB)能级一直未出现,而在含硼较少的Fz单晶制作的样品中很容易获得E_(TA)、E_(TB)能级,对E_(
65. 立方氮化物及其蓝-绿光发光二极管的外延生长和性质研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:徐大鹏   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:微电子学和固体电子学   授予学位:博士
近年来,被称作第三代半导体-Ⅲ-V族氮化物因能够制作可发光短波段(蓝,绿光)器件和高温微电子器件已经成为半导体光电子器件研究与开发前沿课题和热点之一.该论文采用MOCVD技术在GaAs(001)衬底生
关键词：蓝光 绿光 发光二极管 立方GAN
66. 数字电路的门阵列实现 原文获取 
[学位论文]   作者:朱亚江   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1988   授予学位:硕士
本文深入研究了基片设计与选择过程中的重要问题--如何确定基片通道区宽度,提出了一个简化模型,为设计和选择基片提供了参考依据.本文还论述了一个具体电路--"多功能电子钟控制电路"的门阵列实现过程.针对该
关键词：计算机辅助设计 数字电路
67. 人工神经网络用于实时控制的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:罗予晋   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
该文选择神经网络在自动控制中的应用作为研究方向,针对神经网络控制器在实现时的不确定性问题,提出应用独立的神经网络硬件平台构造一个实时闭环仿真系统,测试并实现神经网络控制.并在CASSANDRA-I神经
关键词：实时闭环仿真系统 自动控制 神经网络 仿真实验
68. II-VI族半导体纳米团簇的制备及性质研究 （被引次数：3） 原文获取 
[学位论文]   作者:刘舒曼   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
用化学方法合成半导体纳米晶(量子点)是近十几年来一个活跃的研究领域,其目的之 一是对纳米晶的物理性质进行基础研究,另一个目的就是发掘半导体纳米晶在光电器件方面的实际应用.该文在对半导体纳米晶的物理性质
关键词：半导体纳米晶 物理性质 掺杂稀土离子 发光效率
69. INGAN量子点的MOCVD生长及特性研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:李昱峰   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:材料物理与化学   授予学位:硕士
该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH<,4>作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面浸润度降低,呈三维岛状生长,形成InGaN量子点
关键词：MOCVD生长 GAN薄膜 INGAN量子点 INGAN薄膜
70. 氮化镓的光电性质及器件工艺研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:张泽洪   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:微电子学和固体电子学   授予学位:硕士
该文对GaN的持续光电导现象进行了研究.为了探索GaN的肖特基接触特性,寻找最佳工艺条件,该文对Pt/n-GaN肖特基接触的高温退火行为进行了研究.该文主要内容归纳如下：1.研究了金属有机物化学气相外
关键词：退火行为 有机物化学气相外延 光电导效应 肖特基接触
71. DYL和CMOS电路兼容集成研究 原文获取 
[学位论文]   作者:翁思游   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1993   授予学位:硕士
本文提出了一种新型的BiCMOS电路-DYLCMOS集成电路.论文先对DYL电路与CMOS电路工作的兼容性作了详细的分析,在计算与模拟的基础上给出了两者的相互影响以及对器件参数的要求.论文还对DYLC
关键词：数字集成电路 CMOS电路 多元逻辑电路
72. 连续逻辑在时分式三用电话中的应用 原文获取 
[学位论文]   作者:韦方兴   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1990   授予学位:硕士
本文首先介绍了用连续逻辑电路实现脉冲幅度调制(PAM)的基本原理,由王守觉教授提出的连续逻辑DYL电路的基本单元是"Min"门和"Min"门,用这两种门电路处理语音信号可方便地实现PAM信号的传输,从
关键词：DYL电话 小型电话 连续逻辑电路
73. 人脸自动检测方法研究 （被引次数：12） 原文获取 
[学位论文]   作者:邢藏菊   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
人脸自动识别技术有广阔的应用前景和迫切的现实需求,是当前模式识别领域最热门的研究方向之一.人脸是一种复杂模式,从背景中检测人脸是一个困难但却很重要的问题.该论文首先对人脸自动识别技术研究的意义、人脸自
关键词：彩色图像 人脸自动识别 人脸检测
74. 有机聚合物波导和光调制器的基础研究 （被引次数：3） 原文获取 
[学位论文]   作者:杨晓红   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
聚合物光电子器件是目前世界范围的一个研究热点,在光通信方面有广泛的和极具吸引力的应用前景.该论文结合国爱任务.围绕聚合物无源波导型器件开展工作,主要在聚保物的材料性能、器件工艺制备和波导型光调制测试等
关键词：端面耦合 光通信 聚合物光电子器件 聚合物单模脊波导
75. 光电子器件TCAD 原文获取 
[学位论文]   作者:武术   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
该论文的工作主要分为两个部分;1、MBE控制系统.在这一部分的工作中,我们开发一套控制MBE生长的可视化的系统.整个系统的开发是基于VisualC++6.0的.借助其强大的功能以及ActiveX技术我
关键词：光电子器件 TCAD
76. IN(GA)AS/GAAS自组织量子点材料和激光器研究 原文获取 
[学位论文]   作者:孔云川   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
该文系统研究了In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长的光学性质,以及量子点激光器的制备和性能.主要内容和结果如下:(1)用AFM,PL等手段系统研究了分子束外延生长的In(Ga)As/GaA
关键词：INGAAS层 量子点材料 PL谱 量子点激光器
77. INAS/CAAS自组织量子点生长机理和原位监测 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:郭忠圣   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
半导体低维结构尤其是半导体量子点因其独特的光电性质、广泛的应用前景而日益受到人们的关注,对其的基础物理和器件应用研究也因之成为最前沿的课题.先进的样品制备和观测手段是进行有效、深入研究的一个前提和关键
关键词：半导体量子点 高能电子射 INGAAS/GAAS纳米管 生长机理 光电性质
78. 抗辐射2000门阵列的设计及实现 原文获取 
[学位论文]   作者:陈志军   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
对SOI/SOS进行调研, 了解了SOI器件的工作机理;对辐射机理进行研究,了解SOI器件在抗辐射方面的优点及难点. 为下面的抗辐射门阵列设计下了坚实的基础.对SOI的工艺进行研究,采用改进SOI工艺
关键词：SOI工艺方法 SOI 抗辐射
79. GAAS基IN(GA)AS量子点及其复合结构的材料生长和性质研究 （被引次数：4） 原文获取 
[学位论文]   作者:张元常   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:材料物理与化学   授予学位:博士
该工作采用MBE生长技术制备了In(Ga)As/GaAs量子点材料,并对其生长条件、结构和光学性质进行了较为深入的研究.主要内容包括:(1)首次对双模尺寸分布量了点中的载流子热转移机制进行了较为系统的
关键词：MBE生长技术 IN(GA)AS/GAAS量子点材料 光学性质 生长条件 结构
80. ALINGAN四元合金的生长及性质研究 （被引次数：3） 原文获取 
[学位论文]   作者:董逊   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:材料物理与化学   授予学位:硕士
三族氮化物材料由于其在蓝绿到紫外领域光电器件的广泛应用而成为人们研究热点,AlInGaN四元合金使得这种材料体系的应用范围得到极大的扩展.该文对AlInGaN的生长和性质作了以下研究.1.研究了生长温
关键词：ALINGAN 时间分辨 伸展指数 发光机制
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