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21. 液相外延In_xGa_(1-x)AsySb_(1-y)/GaSb及其电学光学性质研究 原文获取 
[学位论文]   作者:刘学锋   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1989   授予学位:硕士
本文报导了在GaSb(100)衬底上液相外延(LPE)生长In_x Ga_(1-x)AsySb_(1-y)四元合金.在不同的组分下进行外延生长,得到了不同工作波长的外延材料,研究了外延材料的表面形貌与
22. 气源分子束外延生长SIGE/SI材料的性质及HBT器件应用 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:林燕霞   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:半导体材料   授予学位:硕士
该论文中研究了气源分子束外延生长的SiGe/Si材料的生长、 结构性质与光学性质表征、原位掺杂与HBT器件应用, 基中着重研究了材料的结构特性与电学性能表征和材料的热稳定性,讨论了HBT器件的初步结果
关键词：结构特性 气源分子束外延生长 SIGE/SI材料 热稳定性 HBT器件
23. GaAs/GaAlAs短周期超晶格中的Wannier-Stark效应 原文获取 
[学位论文]   作者:张耀辉   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1992   授予学位:硕士
自从1988年,Mendez等人在超晶格中实现Wannier-Stark效应测量后,由于其有丰富的物理内涵和潜在的应用前景,引起人们越来越多的兴趣.本文利用国产分子束外延生长的GaAs/Ga_(0.7
关键词：超晶格 Wannier-Stark效应
24. GAN基材料的光学及电学性质研究 原文获取 
[学位论文]   作者:闫华   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:半导体材料   授予学位:硕士
Ⅲ族氮化物材料因其在蓝色发光器件和高温微电子器件领域有巨大的应用前景而成为半导体材料的研究热点.该文对六方GaN及其合金进行了一系列研究,包括非故意掺杂n-GaN、掺镁p-GaN、InGaN合金材料.
关键词：半导体材料 GAN 电学性质 光学性质
25. 半导体界面物理与器件物理 原文获取 
[学位论文]   作者:张智宏   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中,由于InP具有较低的界面态密度,与GaAs材料相比更适合于用来制作MIS场效应器件.近年来已有很多文献报道了关于在InP半导体材料上制作MIS场效应的情况,并已证明在InP半
26. 双区共腔超短光脉冲量子阱激光器的研制 原文获取 
[学位论文]   作者:李世祖   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1993   授予学位:硕士
用液相外延技术(LPE)对分子束外延(MBE)生长的量子阱材料进行二次外延;并通过电极剥离(Lift off)、湿法腐蚀等措施,制成了双区共腔器件;用相关注入法调制,得到了PS级的超短光脉冲.
关键词：半导体激光器 量子阱材料 半导体器件
27. DH共腔双二极管激光器的实验研究 原文获取 
[学位论文]   作者:黄熙   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1982   授予学位:硕士
本文着重对GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)AsDH共腔双二极管激光器的稳态输出特性进行了实验研究.根据稳态输出特性的实验结果计算了效益(损耗)特性,并与本征模型之理论计算进行比较.这种研究效
28. 微腔的物理效应及其应用探索 原文获取 
[学位论文]   作者:陈京好   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
该论文的重点是量子平面半导体微腔的光学性质研究,但我们首先对内嵌量子阱半导体微腔的反射谱和角分辨谱进行了系统的研究.并在国际上首次观察到了利用外加压力调制的二维激子与光场耦合相互作用的Rabi分裂现象
关键词：半导体微腔 光学性质 量子阱 反射谱 角分辨谱
29. LEO-InP单晶的红外光谱研究 原文获取 
[学位论文]   作者:张玉爱   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   授予学位:硕士
利用付里叶光谱仪(IFS-115)测量了LEC-InP单晶的红外吸收特性,在(996、965、923、838、806、776、742、718、590、558、538)Cm~(-1)处发现了新的弱吸收峯
30. INALAS/ALGAAS自组织量子点材料的光学性质研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:陈晔   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:凝聚态物理   授予学位:博士
自组织量子点是目前国际上的研究热点之一,最近宽带隙的InAlAs/AlGaAs量子点由于是实现红光量子点激光器的理想材料而受到人们的重视.在该工作中,作者采用变温,变激发功率的常压和静压光致发光技术,
关键词：自组织量子点 光致发光技术 Ⅲ-V族半导体材料 INALAS/ALGAAS量子点结构 光致 发光特性
31. 调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中衬底光激发 原文获取 
[学位论文]   作者:黄云吉   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
在低温下(77K和4.2K)研究了调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结的持久光电导现象及光照对背栅调制的影响,发现GaAs体内光激发阈值为0.8eV的深施主(判断是EL2)的激发对GaAs方面贡献的持
32. 非晶半导体超晶格的XTEM研究 原文获取 
[学位论文]   作者:陆珉华   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
本工作主要对两种非晶超晶格a-Si:H/a-C:H、和a-Si:H/a-SiN:H进行了XTEM分析,发现非晶超晶格的生长大体上是平整、均匀的,由于生长中控制条件问题,超晶格中会出现厚度起伏、表面弯曲
33. 模拟量动态存储初探 原文获取 
[学位论文]   作者:张学鹂   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1987   授予学位:硕士
本文提出了动态存储模拟量的方法.利用了一种全新的梳状量化器,从根本上克服了以往多值存储方法不易向更多值发展的弊端.文中详细阐述了模拟量动态存储方法的原理并对一些实际因素的影响进行了讨论,实践表明,这种
34. 电磁屏蔽空间中控制手段的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:刘宇杰   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1994   授予学位:硕士
本文研究低频磁场为媒介,相电磁屏蔽空间中传送信号的可能性、方法和信号的穿透情况.文中以理论分析为主,配合以实验验证,得出一些有实用价值的结论.首先把各种可能的实际情况归纳为三种系统模型:无限大平板模型
关键词：电磁屏蔽空间 磁场控制系统 半导体器件
35. Ti-Si系统硅化物的形成及其化学键性质的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:李宝琪   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1985   授予学位:硕士
文中给出了在稳态热退火和激光退火条件下,Ti-Si相互作用所形成的硅化物的组份分析了第一相成核原理.研究了在稳态热退火的条件下Ti与SiO_2的相互作用及其硅化物的形成,从化学热力学的角度,讨论了Ti
36. GaAs-(AlGa)As DH 激光器低温异常伏安特性的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:顾纯学   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1981   授予学位:硕士
在室温至77K范围的测量GaAs-(AlGa)As DH激光器的正向伏安特性,发现有些激光器在低温下产生负阻的异常伏安特性.本文根据对GaAs-(AlGa)As n-N 异常伏安特性.本文根据对GaA
37. 基于Γ-X混合的异质结构光存储器件探索 原文获取 
[学位论文]   作者:彭进   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化.这一效应已被C-V特性上
关键词：GAAS量子阱 K空间 光存储单元 Γ-X混合
38. GAN化学气相外延反应机理研究 原文获取 
[学位论文]   作者:庞海   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体材料   授予学位:硕士
该论文的工作利用研究人员自己研制生长设备,采用HVPE生长GaN/α-Al<,2>O<,3>外延片,并对GaN的常压外延生长进行了研究.通过对GaN外延生长机理的分析,首次提出了GaN气相外延系统的流
关键词：GAN外延生长机理 气相外延系统 流体力学学模型 GAN 常压化学气相 速度场 浓度场梯度
39. 通用高阶神经元网络模型的构造及其应用研究 （被引次数：7） 原文获取 
[学位论文]   作者:陈向东   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2000   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
该论文中"八五"攻关成果CASSANDR-I预言神一号神经计算机的基础上,综合了ABF、RBF(径向基函数)、DBF(方向基函数)神经元网络模型及其学习算法,并基于新一代神经计算机CASSANDRA-
关键词：学习算法 高阶神经元网络模型 数学模型 神经元网络结构 硬件实现 模式识别
40. 双量子阱结构电子的隧穿逃逸时间 原文获取 
[学位论文]   作者:李海峰   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1994   授予学位:硕士
用量子阱力学的方法从理论上计算并讨论了三势垒结构中的遂穿逃逸几率;提出了一种测量遂穿逃逸几率的新方法-瞬态电流法,这种方法较之人们普遍采用的时间分辨光谱和瞬态电容法督具有较大的优越性,它可测定的时间范
关键词：量子阱结构 隧穿现象 量子力学
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