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201. DFB激光器和电吸收调制器单片集成研究 （被引次数：4） 原文获取 
[学位论文]   作者:许国阳   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
DFB激光器和调制器是光纤通信中的关键部件.由于直接调制半导体激光器会产生很 大的频率啁啾,在高速远距离光纤通信中,外调制器是必然选择.单片集成DFB激光器和电 吸收调制器具有输出功率大,结构紧凑体积
关键词：DFB激光器 光纤通信 电吸收调制器 分别外延方法
202. 气态源分子束外延Ⅲ-Ⅴ族可见光半导体材料及其性质研究 原文获取 
[学位论文]   作者:李晓兵   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
该文利用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了GaN薄膜,GaInP/AlGaInP材料及AlGaInP激光器结构,并对材料的结构性能、电学、光学性质进行了系统的研究,取得了如下主要结果:一、GSM
关键词：GAN薄膜 GAINP/ALGAINP材料 激光器 结构性能 电学性质 光学性质
203. 多变量控制系统优化的人工神经网络方法研究 原文获取 
[学位论文]   作者:李倩   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
利用人工神经网络进行产优化在集成电路、化工、制造等许多工业领域得到了成功的应用.我们总结了神经网络系统建模方法以及得到广泛采用的优化算法,并分析指出我们前阶段的优化工作中存在的去噪声建模有局限性和计算
关键词：人工神经网络 多变量控制系统 优化方法
204. 集成电路测试系统的结构分析和集成化研究 （被引次数：4） 原文获取 
[学位论文]   作者:王东辉   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
超大规模集成电路的发展促进了测试系统结构的发展和变革.该论文通过对测试系统结构的分析,认为测试系统的体系结构以定时结构为主,测试系统结构的变革也主要以定时系统结构的变革为主.该论文分析了集成电路测试系
关键词：超大规模集成电路 定时结构 理想门延迟 电路结构
205. 一种用于多层金属布线的绝缘层表面平坦化方法的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:任宏   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1986   授予学位:硕士
集成电路自问世以来,集成度的增长速度十分迅速.现在1M位的DRAM已经投放市场,4M位的也研制成功.可以预言,今后集成电路的功能将越来越复杂,集成规模将越来越大,集成度将越来越高.在今后的发展中,电路
206. 方向基函数神经网络模型与算法及其在模式识别中的应用 （被引次数：9） 原文获取 
[学位论文]   作者:陈川   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:半导体器件与微电子学   授予学位:博士
神经网络作为模式识别的重要手段,得到了广泛地应用,而这其中,前馈神经网络扮演了主要角色.该论文针对前馈神经网络应用于模式识别中所遇到的问题展开工作,通过对BP、RBF等模型的分析,提出了一种新型的DB
关键词：神经网络 模式识别 前馈神经网络 DBF模型
207. 波长可调谐DBR激光器的研制 （被引次数：3） 原文获取 
[学位论文]   作者:陆羽   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
可调谐激光器是WDM系统和数据交换系统的关键的器件之一,可调谐激光器的运用使得光纤传输系统容量大大增加,灵活性和可扩展性大大增强,成为研究机构研发的热点.该论文围绕可调谐DBR激光器的研制开展了以下几
关键词：可调谐激光器 DBR激光器
208. 垂直腔面发射激光器的数值分析 原文获取 
[学位论文]   作者:赵鼎   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:微电子与固体电子学   授予学位:硕士
与大量存在的微电子器件分析和设计软件相比,由于光电子器件的内部物理过程比较复杂,因此对其进行计算机辅助设计仍然处于探索阶段.该文的工作针对VCSEL内宏观的电学、热学和光学过程进行数值分析,发展了相应
关键词：数值分析 电场 热场 光场 垂直腔面发射激光器 微电子器件
209. 新型GAAS基长波长低维半导体材料的光学性质研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:边历峰   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:凝聚态物理   授予学位:博士
信息时代的发展离不开高速、大容量的通讯网络,从而对光纤通讯的发展提出了更高的要求.在光纤通讯的研究中,发光波长在1.3-1.55μm半导体激光器材料的发展逐渐成为目前研究的前沿和热点.其中以GaAs为
关键词：光致发光谱 GAINNAS 快速热退火 GAASSBN INAS量子点
210. InP基雪崩光电二极管的单光子探测器的研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:曹延名   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2008   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
近红外单光子探测因其广泛的应用前景受到关注。尤其是量子信息、量子密匙传输技术的兴起，其中信息的载体为单个光子。此外，因具有极高的灵敏度，近红外单光子探测器还可以胜任其它近红外波段微弱光信号探测任务。<
关键词：单光子探
211. 高亮度ALGAINP发光二极管的研制 （被引次数：4） 原文获取 
[学位论文]   作者:王国宏   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:半导体器件与微电子学   授予学位:博士
该论文针对高亮度AlGaInP发光二极管材料生长、结构设计和器件工艺制备的关键技术进行了深入的理论分析和实验研究.1.理论分析和器件结构设计:从理论上计算了AlGaInP材料的自发辐射谱和自发辐射寿命
关键词：ALGAINP发光二极管 材料生长 结构设计 发光二极管管芯 制备工艺
212. 平台式FPGA编程与接口电路的设计 原文获取 
[学位论文]   作者:丁光新   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2009   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
FPGA产品的研制不仅是FPGA芯片的设计，而且包含了相关的EDA软件设计以及相关电子系统设计，具有较大难度。本文的研究工作以FPGA芯片设计为基础，着重完成了FPGA编程电路，输入/输出模块及边界扫
关键词：现场可编
213. 用于视网膜修复的微电极研究 原文获取 
[学位论文]   作者:王淑静   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2009   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
视网膜感光细胞进行性病变可导致人失明，在众多的医治方法中，利用植入式芯片和电极对视网膜残存的视细胞实施电刺激的方案能使患者的视力得到一定程度的恢复。
　　 本文将微电子技术应用于生物医学工程，
关键词：视网膜病
214. 光纤光栅制作与光纤光栅外腔激光器的制作研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:周凯明   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
该论文围绕光纤光栅的制作和光纤光栅外腔半导体激光器研制两方面主要进行了如下几个工作:●系统地总结了光纤光栅的光学性质;●对掩模看到制作过程中的允许误差进行了分析,给出零级抑制在5%以内时占空比和凹槽深
关键词：光纤光栅 外腔半导体激光器
215. 彩色图象中人脸检测方法的研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:莫华毅   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:电路与系统   授予学位:硕士
由于在身份鉴别中的重要作用,人脸识别正日益成为模式识别,计算机视觉和人工智能领域的热点之一.人脸检测,是人脸识别的先决条件,指的是在输入图像中确定人脸的数目,位置,尺度,位姿等信息的过程.通常的人脸检
关键词：人脸检测 肤色模型 肤色分割 肤色板块 特征定位 模板匹配
216. HEMT材料界面特性及其器件的二维数值模拟 原文获取 
[学位论文]   作者:张兴宏   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1997   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
该论文从实验和二维数值模拟两方面深入研究了HEMT结构中二维电子气(2DEG)的输运性质和器件沟道中电子浓度分布以及电场分布.并详细讨论了异质结中界面态对HEMT沟道中二维电子和电场分布的作用以及对H
关键词：晶体管 量子模型 数值模拟 电子浓度 电子迁移率 结构材料
217. GE<,X>SI<,1-X>-SI异质结构中的缺陷研究 原文获取 
[学位论文]   作者:万学元   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1997   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
用低压化学气相沉积方法生长了质量较好的x=0.025的Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质外延材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨电子显微镜(HREM)对材料的平面和截面样品进行了分析,得出以下
关键词：异质外延材料 失配位错 扩展位错 异质结构 螺型位错 外延层
218. 辉光放电a-Si:H中光致变化效应的实验研究 原文获取 
[学位论文]   作者:黄林   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1986   授予学位:硕士
在各种非晶半导体材料中,辉光放电a-Si:H (GD a-Si:H)是一个佼佼者.它的可掺杂性,良好的光电导特性,与太阳光谱十分匹配的光吸收特性以及制备简单价格低廉等特点,使其在被用作光电器件,特别是
219. 微机电系统薄膜材料和悬臂梁结构的力学性能与可靠性研究 原文获取 
[学位论文]   作者:周威   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2009   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
微纳尺度材料和器件的可靠性表征是微机电系统(MEMS)发展的关键技术之一。目前，MEMS薄膜材料和器件的力学性能和可靠性研究相对落后于MEMS器件技术的发展，成为MEMS实现产业化的瓶颈。因此，迫切需
关键词：微机电系
220. 有源光波导中模式耦合特性研究 原文获取 
[学位论文]   作者:张雅丽   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2008   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
有源光波导是光通信系统中光发射、光调制、光放大类功能器件的关键部件，一直是光电子器件设计、制备、测试分析中的研究重点。随着集成光学的发展，可集成的有源光波导器件越来越受到人们的关注。本论文重点研究单片
关键词：有源光波
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