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1. HWCVD低温制备器件质量的微晶硅薄膜 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:汪六九   授予单位:中国科学院研究生院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:材料物理与化学   授予学位:硕士
微晶硅(μc-Si:H)薄膜在薄膜太阳电池和薄膜晶体管等大面积电子学方面具有明确的应用前景.由于具有高速沉积、气相利用率高和易晶化等特点,采用HWCVD技术制备大面积、优质μc-Si:H是当今研究热点
关键词：微晶硅薄膜 热丝化学气相沉积 氢稀释 光电特性
2. 智能光纤传感器网络地面目标识别若干问题研究 （被引次数：10） 原文获取 
[学位论文]   作者:邢怀飞   授予单位:中国科学院研究生院(半导体研究所)   学位年度:2008   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
无人值守地面传感器网络(UGS)最早是在战争中发展起来的,对地面目标进行探测、分类、跟踪和定位的智能侦察系统.光纤传感器网络有着灵敏度高,不受电磁干扰,与光纤通信网络兼容,易于大规模组网等诸多优势,所
关键词：光纤传感器网络 无人值守地面传感器 目标识别 地震动信号 特征提取 支持向量机 独立分量分析
3. 低维三五族半导体中的电子输运 原文获取 
[学位论文]   作者:孙捷   授予单位:中国科学院研究生院(半导体研究所)   学位年度:2007   专业名称:材料物理与化学   授予学位:博士
由于低维三五族半导体(例如砷化镓基、磷化铟基量子阱、量子线、量子点材料)在将来纳米电子学中有良好的应用前景,人们对其研究兴趣很高.该文便对这些材料和器件中的电子输运方面的几个课题进行详细讨论.我们研究
关键词：分子束外延 量子点 共振隧穿二极管 三端弹道结 量子线晶体管 RS触发器
4. 低维半导体结构有效质量理论 原文获取 
[学位论文]   作者:李树深   授予单位:中国科学院研究生院(半导体研究所)   学位年度:1996   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
自从Esaki和Tsu提出超晶格概念以来,有效质量包络函数理论在低维半导体物理的研究中有了广泛的应用.该文在传统有效质量包络函数理论的基础上,用平面波展开方法具体研究了InAs/GaAs应变超晶格,沿
关键词：空穴子带 InAs 低维结构 有效质量理论 低维半导体结构 光跃迁 夏建白 包络函数 半导体材料 电工材料 GaAs 激子态 异质结构
5. 基于平衡计分卡中科院研究所员工绩效考核体系初探 原文获取 
[学位论文]   作者:张棣   授予单位:中国科学院研究生院工程教育学院   学位年度:2009   专业名称:项目管理   授予学位:硕士
目前中国科学院各研究所的员工绩效考核普遍存在考核指标不明确，考核内容不合理；考核方式不科学，没有形成有效的激励机制等问题。
　　 为了解决上述问题，笔者在大量的理论研究和案例研究的基础上，提出
关键词：中国科学
6. 半导体激光器的模式及调制特性 原文获取 
[学位论文]   作者:王仲明   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1985   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
关键词：激光器
7. 提高IC测试系统性价比的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:庄昕辉   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1996   授予学位:硕士
关键词：IC测试系统 程序设计方法
8. 半绝缘GAAS单晶化学配比与结构特性的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:陈诺夫   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1996   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
关键词：半绝缘GAAS单晶 晶体缺陷 晶格参数 化学配比 定量无损检测 最佳工艺
9. 半导体双稳态激光器特性研究 原文获取 
[学位论文]   作者:林世鸣   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1986   专业名称:光学   授予学位:博士
关键词：激光器
10. 连续逻辑12×12位超高速数码乘法器 原文获取 
[学位论文]   作者:石寅   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1986   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
关键词：超高速数码乘法器 逻辑集成电路 多元逻辑电路
11. 连续逻辑方法实现离散付立叶变换的初步研究 原文获取 
[学位论文]   作者:王玉富   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1986   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
关键词：多元逻辑电路 模拟信号处理 逻辑集成电路
12. 半导体应变异质结构外延生长及其界面应力效应 原文获取 
[学位论文]   作者:廖奇为   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1990   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
关键词：半导体 异质结 外延生长 超晶格
13. ZNS<,X>TE<,1-X>三元混晶的光学性质研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:刘南竹   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1998   专业名称:凝聚态物理   授予学位:硕士
关键词：三元混晶材料 发光效率 ZNS<,X>TE<,1-X>混晶 拉曼散射 光致发光
14. GaAs电子结构的ab initio赝势自洽计算 GaP:N导电子陷阱压力行为研究以及无辐射理论中的两个问题 原文获取 
[学位论文]   作者:王炳燊   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1985   专业名称:理论物理   授予学位:博士
关键词：电子结构
15. 双权值人工神经网络用于数据拟合的研究 （被引次数：4） 原文获取 
[学位论文]   作者:曹宇   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2002   专业名称:电路与系统   授予学位:硕士
该文在阐述了人工神经网络的基础理论的同时,还对几种典型神经网络模型在结构和它们在函数逼近能力上做了比较.该文还介绍了中国科学院半导体研究所研制的最新的神经计算机,这是用硬件方式实现的人工神经网络,它具
关键词：人工神经网络 双权值 BP算法 迭代次数
16. 异形量子阱中电致吸收和电致折射变化及其在光电器件中应用的研究与高效半导体量子阱光调制器的研制 原文获取 
[学位论文]   作者:熊飞克   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1993   专业名称:半导体物理与半导体器件物理   授予学位:博士
关键词：光调制器 量子阱 半导体 光电器件
17. SIGE/SI材料气源分子束外延生长、性质及应用 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:刘金平   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:1999   专业名称:半导体材料   授予学位:博士
在该论文中,作者研究了SiGe/Si材料的气源分子束外延生长、原位掺杂及应变驰豫 机制,探索了SiGe/Si材料的光学性质.取得了一系列新结果.
关键词：SIGE/SI材料 气源分子束 外延生长
18. SOI光波导与热光开关的研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:王小龙   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2003   专业名称:微电子与固体电子学   授予学位:硕士
该文围绕着SOI光波导耦合器和热光开关展开研究,对相关理论做了适当的整理与发展,并且用湿法刻蚀的方法制作了多种光波导耦合器、调制器与光开关.
关键词：光波导耦合器 热光开关 湿法刻蚀 BPM 干法刻蚀
19. 立方氮化镓MOCVD外延生长研究 原文获取 
[学位论文]   作者:付羿   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学和固体电子学   授予学位:硕士
为进一步提高立方GaN材料质量以改善器件性能,该文研究了两步生长法生长立方GaN的反应机理并尝试优化了生长条件.该文还对利用侧向外延技术提高立方GaN质量的生长工艺作了初步探索.
关键词：氮化镓 外延生长
20. 氮化镓基材料的结构特性研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:渠波   授予单位:中国科学院半导体研究所   学位年度:2001   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:博士
该研究以GaN基材料的结构特性为主要研究内容,利用X射线衍射技术分析了GaN及其合金外延层的基本结构特性,进而建立了定量的评价体系,并探索了结构特性参数与外延工艺、光电特性之间的规律性联系.
关键词：GAN基材料 X射线衍射技术 结构特性参数 结构特性
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