辽宁学术搜索 - 检索结果

1. 碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究

	[中文会议论文] 作者:刘从峰；方维政；涂步华；孙士文；杨建荣；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系
	关键词：碲锌镉腐蚀坑密度微沉淀缺陷位错密度

2. 一种基于DSP的小型集成化图像融合系统设计

	[中文会议论文] 作者:王强；倪国强；高昆；周生兵作者单位:北京理工大学信息科学技术学院光电工程系会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	提出了一种小型集成化的双通道实时图像融合系统的设计方案.该系统的核心处理器选用了适合视频处理的TMS320DM642最新高性能定点DSP,利用了DM642的特点,尤其是可配置的视频接口实现与视频编码单
	关键词：图像融合红外技术视频编码

3. HgCdTe外延材料表面腐蚀坑特性的研究

	[中文会议论文] 作者:曹秀亮；杨建荣作者单位:上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文中对Schaake[1]和Chen[2]两种腐蚀剂在{111}B的HgCdTe外延材料上形成的腐蚀坑特性进行了研究.通过实验确定了两种腐蚀剂的最佳腐蚀时间,实验结果发现两种方法都在外延材料表面产生了
	关键词：HgCdTe 腐蚀坑位错腐蚀剂

4. MOCVD系统中AlN生长速率的研究

	[中文会议论文] 作者:赵德刚；杨辉；梁骏吾；李向阳；龚海梅作者单位:中国科学院半导体研究所；中国科学院半导体研究所；中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3流量、TMAl流量等生长参数的关系.实验发
	关键词：MOCVD AlN 生长速率寄生反应

5. VXI在红外探测器有效面积测试中的应用

	[中文会议论文] 作者:岳冬青；王雅杰；杨广志作者单位:华北光电技术研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	介绍基于VXI总线的红外小光点自动测试系统,这套系统能够精确测试红外探测器有效面积,还可以用于测试红外探测器的空间响应及串音测试.
	关键词：VXI总线红外探测器自动测试系统

6. 一种基于FPGA的双波段实时红外图像融合系统

	[中文会议论文] 作者:宋亚军；高昆；倪国强作者单位:北京理工大学信息科学技术学院会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章对当前实时图像融合技术和实现方法进行了综述,提出了一种采用FPGA设计的双波段实时红外图像融合系统的设计方法.该系统将核心算法、外设管理等功能单元集成在1片Virtex-Ⅱ Pro FPGA上实现
	关键词：图像融合系统红外图像拉普拉斯金字塔

7. 红外光电子材料碲镉汞异质外延结构理论研究

	[中文会议论文] 作者:陈效双；孙立忠；黄燕；段鹤；陆卫作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究.首先选择Hg0.5Cd0.5Te体系详细分析了Hg空位引起的弛豫,包含Hg空位缺陷体系的电荷密度、成键电荷密
	关键词：碲镉汞第一性原理硅表面重构砷钝化钝化机理密度泛函理论

8. Si基CdTe复合衬底分子束外延研究

	[中文会议论文] 作者:陈路；王元樟；巫艳；吴俊；于梅芳；乔怡敏；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外
	关键词：硅基碲镉汞复合衬底分子束外延

9. AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究

	[中文会议论文] 作者:胡正飞；沈晓明；周盛容；侯艳芳；梁骏吾；李向阳；龚海梅；李雪作者单位:同济大学材料学院；中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章通过AlGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理论研究等诸方面反映AlGaN材料的欧姆接触及势垒接触研究概况和最新进展.
	关键词：铝镓氮材料欧姆接触界面结构显微结构

10. 碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展

	[中文会议论文] 作者:周立庆作者单位:华北光电技术研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章综合论述了碲镉汞外延用的衬底材料的现状,着重介绍了几种衬底材料CdTe、Al2O3、GaAs、Ge、Si等的性能特点与各自的优缺点,评述了它们在碲镉汞外延中的使用情况,并对其未来的发展方向做出了预
	关键词：碲镉汞外延衬底材料

11. 在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

	[中文会议论文] 作者:王元樟；陈路；巫艳；吴俊；于梅芳；方维政；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和
	关键词：倒易点二维扫描图剪切应变正应变分子束外延晶格应变

12. As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究

	[中文会议论文] 作者:黄燕；周孝好；孙立忠；段鹤；陈效双；陆卫作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(2
	关键词：碲镉汞高密勒指数表面第一性原理密度泛函理论

13. 高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究

	[中文会议论文] 作者:游达；王庆学；汤英文；龚海梅作者单位:传感技术国家重点实验室会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文中利用X射线三轴衍射测试手段对高Al(x≥0.45)含量p-i-n结构的AlxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对AlxGa1-xN外延材料进行评价.首先通过对RS
	关键词：AlGaN 倒易空间图 PV函数外延材料

14. 高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

	[中文会议论文] 作者:亢勇；李雪；何政；方家熊作者单位:传感技术国家重点实验室会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输
	关键词：AlGaN材料干法刻蚀等离子体 MOCVD生长离子束溅射

15. 退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响

	[中文会议论文] 作者:庄春泉；汤英文；龚海梅作者单位:中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表
	关键词：光致发光 X射线光电子能谱退火

16. 固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试

	[中文会议论文] 作者:涂步华；方维政；刘从峰；孙士文；杨建荣；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品.通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停
	关键词：Cd1-xZnxTe 快速降温 Zn组份 X-Ray 固液界面

17. 双色红外焦平面读出电路信号输入级初探

	[中文会议论文] 作者:倪云芝；丁瑞军作者单位:中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章通过对双色红外焦平面结构、工作模式、各种信号输入级电路的研究,提出了顺序和同步工作的两种焦平面读出电路结构,输入级都是直接注入方式.短波(SW)和中波(MW)二个波段的光电流分别在各自的电容上积分
	关键词：双色红外焦平面读出电路输入级

18. 碲镉汞多色红外焦平面探测芯片

	[中文会议论文] 作者:杨建荣作者单位:中科院上海技术物理研究所材料器件研究中心会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	文章从芯片结构、晶格匹配和PN结性能三个方面对碲镉汞多色焦平面探测芯片技术进行了探讨,结果显示在三种主要的双色探测芯片结构中,单电极和环孔工艺的双色芯片技术相对比较成熟,高难度的刻蚀技术以及所引起的表
	关键词：多色探测器红外焦平面碲镉汞

19. HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究

	[中文会议论文] 作者:叶振华；郭靖；胡晓宁；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(ReactiveIon Etching)设
	关键词：HgCdTe 微台面列阵干法技术刻蚀速率刻蚀非线性

20. 碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究

	[中文会议论文] 作者:汤英文；庄春泉；许金通；游达；李向阳；龚海梅作者单位:传感技术国家重点实验室会议时间:2005 会议名称:首届全国先进焦平面技术研讨会
	利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏
	关键词：光电子谱 HgCdTe 表面硫化电学性质

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