辽宁学术搜索 - 检索结果

1. 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

	[中文会议论文] 作者:傅祥良；王伟强；于梅芳；乔怡敏；魏青竹；吴俊；陈路；巫艳；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心；中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关.采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析,设计了两个
	关键词：红外材料 MBE薄膜薄膜缺陷汞源杂质

2. HgCdTe光伏探测器抑制背景通量的研究

	[中文会议论文] 作者:王晨飞；陈洪雷；李言谨作者单位:中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	对于长线列焦平面器件,简单的单孔冷屏往往不能有效地抑制背景.本文在Hg1-xCdxTe光伏探测器背面镀制微孔冷屏的办法来降低背景,测试结果表明,探测器镀制微孔冷屏之后,可以使背景辐射通量大幅度减少,同
	关键词：红外探测背景抑制微孔冷屏双面光刻

3. 一种新的红外焦平面图像信号无线光输出协议

	[中文会议论文] 作者:郭磐；陈思颖；倪国强；高昆作者单位:北京理工大学信息科学技术学院光电工程系会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本研究提出了一种针对红外焦平面图像信号无线光输出的高速数据链路层协议.该协议以IrDA标准的红外数据链路协议(IrLAP)作为参考,通过红外无线信道来实现点对点、高速、稳定的图像信号输出.协议的设计充
	关键词：红外探测图像信号红外传输通信协议

4. 碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究

	[中文会议论文] 作者:周立庆；刘兴新；巩锋；胡尚正作者单位:华北光电技术研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本研究采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性
	关键词：红外材料碲锌镉薄膜薄膜生长液相外延晶体结构

5. 硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析

	[中文会议论文] 作者:岳婷婷；殷菲；胡晓宁作者单位:中国科学院上海技术物理研究所；中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本研究对硅基HgCdTe中波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析.测量温度从30K到240K,得到R0对数与温度的1000/T的实验曲线及拟合结果,同时选取60K、80K及110K下动态阻抗R与电压
	关键词：红外器件汞镉碲薄膜暗电流特性隧穿电流

6. 正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究

	[中文会议论文] 作者:唐恒敬；吕衍秋；吴小利；张可锋；李雪；龚海梅作者单位:中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室；中国空空导弹研究院光电所；中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文首先介绍了InGaAs台面探测器的研究进展,然后为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材
	关键词：红外探测红外材料台面钝化分子束外延

7. 湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

	[中文会议论文] 作者:陈杰；许金通；王玲；李向阳；张燕作者单位:中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用.为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SE
	关键词：氮化镓半导体化学腐蚀干法刻蚀反向漏电

8. Kink效应对低温CMOS读出电路的影响

	[中文会议论文] 作者:刘文永；冯琪；丁瑞军作者单位:中国科学院上海技术物理研究所；中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	在深低温下(T＜50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds＞4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系.本文通过实验表明,Kink效应对CM
	关键词：红外探测器 CMOS器件低温效应电路设计

9. 红外焦平面失效现象仿真研究

	[中文会议论文] 作者:林加木；丁瑞军作者单位:中国科学院上海技术物理研究所；中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	在性能较差的红外焦平面器件中,其背景图像经常出现一些现象,比如"黑线"、"锯齿"、"滴落圆"等,其原因可能是红外焦平面器件有缺陷或其读出电路存在问题. 本文针对红外焦平面可能出现的各种缺陷,将其等效
	关键词：红外探测器焦平面失效读出电路电路分析等效模拟

10. 高精度双通道红外图像采集与VGA显示系统的设计

	[中文会议论文] 作者:宋亚军；倪国强；高昆；秦庆旺作者单位:北京理工大学信息科学技术学院光电工程系会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	为了更好地满足红外图像处理系统对高精度图像采集与处理的需求,本文设计了10bit量化精度的视频采集与显示系统,选用10bit TVP5147视频解码芯片和ADV7123型视频编码芯片为核心器件,提供两
	关键词：红外探测器视频采集图像处理视频编码

11. 利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究

	[中文会议论文] 作者:张可锋；吴小利；唐恒敬；乔辉；贾嘉；李雪；龚海梅作者单位:中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室；中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出. 本
	关键词：红外探测焦平面列阵铟镓砷薄膜光敏感区

12. 氮化镓基雪崩光电二极管的研制

	[中文会议论文] 作者:许金通；陈俊；陈杰；王玲；储开慧；张燕；李向阳；龚海梅；赵德刚作者单位:中国科学院上海技术物理所传感技术国家重点实验室；中国科学院半导体研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理.由于雪崩器件
	关键词：光电器件光电二极管雪崩二极管氮化镓材料

13. Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长

	[中文会议论文] 作者:姚靖；施毅；郑有炓；谢自力；刘斌；韩平；张荣；江若琏；刘启佳；徐峰；龚海梅作者单位:江苏省光电信息功能材料重点实验室；中国科学院上海技术物理所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文对利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜进行了研究.根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调
	关键词：半导体薄膜薄膜生长汽相淀积汞掺杂量岛状晶核

14. 红外探测器背景抑制读出结构设计研究

	[中文会议论文] 作者:赵晨；丁瑞军作者单位:中国科学院上海技术物理研究所；中国科学院上海技术物理研究所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	长波红外焦平面探测器一般工作在高背景下,信号电流小于背景电流,器件本身暗电流也较大,信号读出时积分电容极易饱和,这都不利于获得理想的信噪比.通过在读出电路输入级中增加电流抑制结构,可有效提高积分时间,
	关键词：红外探测器红外焦平面暗电流抑制电路设计

15. Si基HgCdTe材料的电学特性研究

	[中文会议论文] 作者:魏青竹；吴俊；巫艳；陈路；于梅芳；王伟强；傅祥良；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心；中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性.研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生Hg
	关键词：红外材料汞镉碲薄膜少子寿命变温霍耳

16. (NH4)2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究

	[中文会议论文] 作者:韩冰；王妮丽；唐恒敬；龚海梅作者单位:中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室；中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本研究通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面,利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命.结果显示,经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP/InGaA
	关键词：红外材料硫化处理材料钝化铟镓砷薄膜

17. GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应

	[中文会议论文] 作者:白云；邵秀梅；陈亮；张燕；李向阳；龚海梅作者单位:中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本研究制备了GaN基PIN结构紫外探测器.用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为51014 cm-2和21O15 cm-2的辐照.通过测量辐照前后器件的Ⅰ-Ⅴ曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量
	关键词：紫外探测器质子辐照光谱响应辐照测量

18. AlN外延薄膜的生长和特征

	[中文会议论文] 作者:张洁；彭铭曾；朱学亮；颜建锋；郭丽伟；贾海强；陈弘；周均铭作者单位:中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系.通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜.高分辨三晶X射线衍
	关键词：半导体薄膜薄膜生长低温成核薄膜形貌

19. 牛津型斯特林制冷机的加速寿命评价

	[中文会议论文] 作者:张晓明；杨少华；吴亦农；刘心广作者单位:信息产业部电子第五研究所；中国科学院上海技术物理所会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文分析了牛津型斯特林制冷机的主要失效模式和失效机理,针对蓄冷器污染的失效模式提出了高温工作加速寿命评价方法.对典型牛津型制冷机进行了不同温度下的动力学响应试验,确定了适合的加速寿命试验的应力条件.加
	关键词：红外探测制冷装置牛津制冷机制冷机寿命

20. HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

	[中文会议论文] 作者:周文洪；叶振华；胡晓宁；丁瑞军；何力作者单位:中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心；中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心会议时间:2007 会议名称:第三届全国先进焦平面技术研讨会
	本文阐述了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模,扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整
	关键词：红外材料汞镉碲薄膜刻蚀掩模干法刻蚀磁控溅射

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