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1. 4H-SiC同质外延中的缺陷 原文获取 
[中文会议论文]   作者:李哲洋；刘六亭；董逊；张岚；许晓军；柏松   作者单位:南京电子器件研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
从实验出发,有LPCVD外延系统在偏向<110>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微表
关键词：同质外延 汽相沉积法 微管 位错 扫描电子显微镜 外延层
2. 集成电路设计技术支撑服务体系建设介绍与探讨 原文获取 
[中文会议论文]   作者:罗晋；倪伟新   作者单位:北京芯慧同用微电子技术有限责任公司   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
集成电路设计技术支撑服务体系,英文中可统称为Design Technology Infrastructure,包括了完成集成电路设计所需要的一系列专门的技术手段,涉及到现代工业管理方法.其目的不仅仅是
关键词：集成电路设计方案 设计产业经营效率 电路晶圆产量 硅知识产权 设计工具 嵌入式存储模块
3. 1GHz CW 100W LDMOSFET研制 原文获取 
[中文会议论文]   作者:刘英坤；邓建国；郎秀兰；张颖秋；吴坚；李明月   作者单位:河北半导体研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
简要介绍了微波功率LDMOSFET的优点、应用领域和当前的研究现状.报道了采用难熔金属Mo栅工艺技术,设计研制出的高性能微波功率LDMOSFET.
关键词：微波功率 沟道长度 共源推挽方式 器件连续波 功率增益 漏极效率
4. 1mm栅宽X波段6W AlGaN/GaN微波功率HEMT 原文获取 
[中文会议论文]   作者:陈堂胜；焦刚；薛舫时；曹春海；李拂晓   作者单位:南京电子器件研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制板结构以及SiN介质钝化.该器件的电流增益截止
关键词：宽禁带半导体 高电子迁移率 晶体管 场板 微波功率 拐点电压
5. 300mm硅片技术发展现状与趋势 原文获取 
[中文会议论文]   作者:周旗钢   作者单位:有研半导体材料股份有限公司   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
综合评述了300mm硅材料在晶体生长、硅片成形、表面质量控制、衬底优化以及表征等方面的研究现状和发展趋势,特别是国内在300mm硅技术研究中所获得的一些成果.
关键词：硅片成形 衬底优化 集成度 硅单晶 氧掺杂剂 硅片清洁区
6. 单片式外延炉在硅外延生产中的应用 原文获取 
[中文会议论文]   作者:赵丽霞   作者单位:河北普兴电子材料有限公司   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
利用单片炉的各种优点,在150~200mm重掺砷和P型衬底上外延、150mm BiCMOS薄层外延、150mm SIGe和SOI外延等领域进行了生产应用.将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获
关键词：单片外延炉 硅外延片 重掺砷 均匀性 反应室压力 电阻率均匀性
7. 把握历史机遇,积极自主创新,推动中国IC产业发展 原文获取 
[中文会议论文]   作者:武平   作者单位:上海市集成电路行业协会   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
作者通过分析全球IC产业飞速发展,产业格局开始变化的现状,指出了中国IC产业的发展面临历史机遇,提出了自主创新,在核心技术领域实现突破的建议.
关键词：IC产业格局 消费增长幅度 平稳增长期 手机芯片 闪存 原动力
8. InP单晶材料发展与现状 原文获取 
[中文会议论文]   作者:孙聂枫；周晓龙；陈秉克；孙同年   作者单位:河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行
关键词：单晶材料 液封直拉式 垂直布里奇曼 晶片位错密度 成熟热场配置 拉晶工艺条件
9. 硅微波LDMOS功率器件的研制 原文获取 
[中文会议论文]   作者:王佃利；李相光；刘洪军；蔡俊；傅义珠；盛国兴；王因生   作者单位:南京电子器件研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
关键词：硅微波 多晶硅 ICP深槽 漂移区结构参数 引线电感 漏源击穿特性
10. 以高新科技与中国企业迈向世界市场 原文获取 
[中文会议论文]   作者:姚天从   作者单位:飞思卡尔半导体   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
发言人系统论述了嵌入式智能和互连能力,将以意想不到的方式显著改变我们的生活,分析了统计数据背后的含义.提出了以高新科技与中国企业迈向世界市场的建议.
关键词：微电子嵌入式 开放性标准 融合性创新法 统计数据吞吐量 流行原素 通信处理器
11. AMD引领CPU产业的双核发展 原文获取 
[中文会议论文]   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
笔者根据双核计算的背景和需求,求了AMD的双核处理产品和技术介绍分析,讨论了AMD公司双核产品技术的优势,指出了公司文化对公司的未来发展的重要性及促进作用.
关键词：双核计算 双核处理器 更改移植法 创新微处理器 运算核心
12. 国内SOC设计面临的挑战和SSIPEX可扩展重构的技术服务平台 原文获取 
[中文会议论文]   作者:黄涛；陈进   作者单位:上海市硅知识产权交易中心   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
本文介绍SSIPEX为帮助业界克服SoC芯片设计和IP复用中的挑战,即将推出围绕众多热点应用和主流CPU/DSP的可扩展重构和IP评测固化和SOC技术服务平台,降低IP集成复用的技术风险和门槛,提高复
关键词：嵌入式 半导体集成电路 多媒体处理芯片 图形加速器 评估固化建模 一站式挑选平台法
13. 半导体切断开关器件 原文获取 
[中文会议论文]   作者:赵彤；杨勇；刘忠山；崔占东   作者单位:河北半导体研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
简要论述了一种半导体切断开关器件SOS(Silicon Opening Switch).概述了该器件的工作原理、应用领域和目前研究的结果.该器件可以通过简单的串、并联构成组件,满足脉冲功率技术领域电感
关键词：半导体 切断开关器件 脉冲功率 效应电流波形 结构参数测试 泵浦方式
14. n型4H-SiC欧姆接触技术研究进展 原文获取 
[中文会议论文]   作者:陈刚；耿涛；柏松   作者单位:南京电子器件研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-
关键词：欧姆接触 特征接触电阻率 反应离子刻蚀 超声剥离法 高倍光学显微镜 快速退火法
15. 4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究 原文获取 
[中文会议论文]   作者:柏松；韩春林；陈刚   作者单位:南京电子器件研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀(RIE),界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑不是很好,刻蚀损伤严重,选择合适的RIE刻蚀
关键词：反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒 物理碰撞 刻蚀参数 饱和电流密度
16. 组织标准IP核开发,共建中国IP共享池 原文获取 
[中文会议论文]   作者:邱善勤   作者单位:信息产业部软件与集成电路促进中心   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
笔者研究了IP/SOC现状,讲述了IP重用技术的出现对于年轻的中国集成电路产业是挑战更是机遇的理念,总结了组织规范化IP核开发所采取的措施及主要目的.
关键词：半导体行业 集成电路产业 IP核开发领域 系统验证困难率 组织规范化 龙芯一号
17. X波段AlGaN/GaN HEMT功率器件 原文获取 
[中文会议论文]   作者:冯震；王勇；张志国；蔡树军   作者单位:河北半导体研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
采用蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延材料,台面工艺隔离,Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属,Ni/Au肖特基接触金属,空气桥方法将源连接等主要技术,制备了GaN基HEMT器件.
关键词：蓝宝石衬底 宽禁带 肖特基接触金属 倒装封装器件 功率附加效率 器件直流性能
18. 见微知著:看FPGA小型化 原文获取 
[中文会议论文]   作者:Tim Saxe；Brian Faith   作者单位:QuickLogic公司   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
笔者针对专用集成电路有了一个低成本的变通选择,提出了混合器件可提供FPGA的灵活性,并指出了正确的混合方法是解决问题的关键.
关键词：专用集成电路 混合器件 裸片面积 处理器核 漏泄电流量
19. 低压、高线性、高效率CDMA功率放大器 原文获取 
[中文会议论文]   作者:郑远；许晓丽；纪军；魏倩；李拂晓；邵凯；杨乃彬   作者单位:南京电子器件研究所   会议时间:2005   会议名称:第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
本文报道了低压、高线性、高效率CDMA功率放大器的设计与制造.该放大器采用GaInP/GaAs HBT技术,芯片尺寸:1.1mm*1.4mm,并利用LGA封装技术将芯片和10个元件封装在6mm*6mm
关键词：CDMA功能放大器 高线性 表面贴装封装法 邻信道功率比值 低功率工作模式 温度特性补偿
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